您当前的位置:成果库 > 一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法
基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 先进制造技术
- 项目名称 一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开的一种B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法,具体为:1)将称取的硅粉、炭黑粉、无定形硼粉、氮化硅粉及聚四氟乙烯粉球磨混合制备出混合粉体A;2)将混合粉体A过200目筛得到平均粒径为74μm以下的混合粉体B;3)将混合粉体B置于真空‑气氛热压烧结炉中,先进行抽真空处理后充入N2气,反应得到B、N共掺杂的3C‑SiC主晶相纳米粉体;4)将B、N共掺杂的3C‑SiC主晶相纳米粉体放置于箱式电阻炉中,在空气气氛中热处理制备出B、N共掺杂的高纯度3C‑SiC纳米粉体吸波材料。本发明的B、N共掺杂碳化硅纳米吸波材料的制备方法,制备出晶型和介电损耗性能良好的SiC纳米粉体吸波材料,且其介电常数大小可控。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2017/10/24
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
- 分享至: